ChipSourceHub 美芯科技

ISSI

IS61WV51216EDBLL-8BLI

主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.4 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous,采用 BGA-48 封装。

基本资料

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品牌 / 制造商
ISSI
产品类别
SRAM
产品系列
IS61WV51216EDBLL
封装
BGA-48
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
- 40 C
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

10 项参数
存储容量
8 Mbit
存储组织结构
512 k x 16
访问时间
8 ns
接口类型
Parallel
电源电压范围
2.4~3.6 V
电源电流(最大值)
55 mA
工作温度范围
-40~85 °C
存储器类型
SDR
类型
Asynchronous
湿敏性
是

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

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