ROHM Semiconductor
RFN10TB4SNZC9
主要参数包括类型 Super Fast Recovery Diode、反向电压（Vr） 430 V、正向电流（If） 10 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.55 V、最大浪涌电流 80 A，采用 TO-220FN-2 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- ROHM Semiconductor
- 产品类别
- Rectifiers
- 封装
- TO-220FN-2
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 管装
技术参数
12 项参数- 反向电压（Vr）
- 430 V
- 正向电流（If）
- 10 A
- 类型
- Super Fast Recovery Diode
- 配置
- Single
- 正向电压（Vf）
- 1.55 V
- 最大浪涌电流
- 80 A
- 反向电流（Ir）
- 10 uA
- 恢复时间
- 30 ns
- 最大工作温度
- + 150 C
- 原产国家或地区
- 韩国
- 产品
- Rectifiers
- 型号别名
- RFN10TB4SNZ
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。