Taiwan Semiconductor
TSM7ND60CI RLG
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 Single N-Channel Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 600 V、连续漏极电流（Id） 7 A。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Taiwan Semiconductor
- 产品类别
- MOSFET
- 产品系列
- TSM
- 包装方式
- 管装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
9 项参数- 技术
- Si
- 通道数
- 1 个通道
- 晶体管极性
- N-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 600 V
- 连续漏极电流（Id）
- 7 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 1.2 Ω
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 配置
- Single
- 晶体管类型
- Single N-Channel Power MOSFET
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。