ChipSourceHub 美芯科技

Bourns

TISP4165M3AJR-S

主要参数包括转折电压(VBO) 165 V、最大转折电流(IBO) 600 mA、非重复通态电流 23 A, 24 A、额定重复断态电压(VDRM) 135 V、VDRM 下断态漏电流(IDRM) 5 uA、最大维持电流(Ih) 350 mA,采用 DO-214AC-2 封装。

基本资料

查看数据手册 ↗
品牌 / 制造商
Bourns
产品类别
Thyristor Surge Protection Devices (TSPD)
产品系列
TISP4xxxM3AJ
封装
DO-214AC-2
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
卷盘
RoHS
E

技术参数

12 项参数
转折电压(VBO)
165 V
最大转折电流(IBO)
600 mA
非重复通态电流
23 A, 24 A
额定重复断态电压(VDRM)
135 V
VDRM 下断态漏电流(IDRM)
5 uA
最大维持电流(Ih)
350 mA
通态电压
3 V
断态电容(CO)
21 pF to 62 pF
工作温度范围
-40~85 °C
额定电流
5 A
商品名称
TISP
单件重量
0.001199 oz

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

TISP4165M3AJR-S 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技