IXYS
IXTH2R4N120P
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 2.4 A，采用 TO-247-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- IXYS
- 产品类别
- MOSFET
- 产品系列
- IXTH2R4N120
- 封装
- TO-247-3
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 管装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
20 项参数- 技术
- Si
- 通道数
- 1 个通道
- 晶体管极性
- N-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 1.2 kV
- 连续漏极电流（Id）
- 2.4 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 7.5 Ω
- 栅源电压（Vgs）
- 20 V
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 耗散功率（Pd）
- 125 W
- 配置
- Single
- 通道模式
- Enhancement
- 高度
- 21.46 mm
展开更多参数（8 项）
- 长度
- 16.26 mm
- 晶体管类型
- 1 N-Channel
- 宽度
- 5.3 mm
- 下降时间
- 32 ns
- 上升时间
- 25 ns
- 典型关断延迟时间
- 70 ns
- 典型导通延迟时间
- 22 ns
- 单件重量
- 0.229281 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。