Microchip / Microsemi
APT50GP60JDQ2
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 600 V、集电极－发射极饱和电压 2.2 V、25°C 时连续集电极电流 100 A，采用 ISOTOP-4 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Microchip
- 品牌
- Microchip / Microsemi
- 产品类别
- IGBT Modules
- 封装
- ISOTOP-4
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 管装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
10 项参数- 产品
- IGBT Silicon Modules
- 配置
- Single
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 600 V
- 集电极－发射极饱和电压
- 2.2 V
- 25°C 时连续集电极电流
- 100 A
- 栅射漏电流
- 100 nA
- 耗散功率（Pd）
- 329 W
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 技术
- Si
- 最大栅射电压
- 30 V
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。