ChipSourceHub 美芯科技

IXYS

IXYH40N120C4

主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 1.2 kV、集电极-发射极饱和电压 2.5 V、最大栅射电压 - 20 V, 20 V、25°C 时连续集电极电流 120 A,采用 TO-247-3 封装。

基本资料

查看数据手册 ↗
品牌 / 制造商
IXYS
产品类别
IGBTs
封装
TO-247-3
安装方式
通孔安装
包装方式
管装

技术参数

11 项参数
技术
Si
配置
Single
最大集电极-发射极电压(VCEO)
1.2 kV
集电极-发射极饱和电压
2.5 V
最大栅射电压
- 20 V, 20 V
25°C 时连续集电极电流
120 A
耗散功率(Pd)
680 W
工作温度范围
-55~175 °C
最大连续集电极电流(Ic)
120 A
原产国家或地区
韩国
栅射漏电流
100 nA

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

IXYH40N120C4 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技