ROHM Semiconductor
2SB1412TLQ
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 20 V、集电极－基极电压（VCBO） - 30 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、最大直流集电极电流 - 10 A。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- ROHM Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- 2SB1412
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
15 项参数- 晶体管极性
- PNP
- 配置
- Single
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- - 20 V
- 集电极－基极电压（VCBO）
- - 30 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- - 6 V
- 最大直流集电极电流
- - 10 A
- 增益带宽积（fT）
- 120 MHz
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 最大直流电流增益（hFE）
- 390
- 高度
- 2.3 mm
- 长度
- 6.5 mm
- 宽度
- 5.5 mm
展开更多参数（3 项）
- 连续集电极电流
- - 5 A
- 最小直流电流增益（hfe）
- 82
- 耗散功率（Pd）
- 10 W
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。