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NVBG020N090SC1
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 900 V、连续漏极电流（Id） 112 A、漏源导通电阻（Rds On） 28 mOhms，采用 D2PAK-7 封装。
基本资料
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- onsemi
- 产品类别
- SiC MOSFETs
- 产品系列
- NVBG020N090SC1
- 封装
- D2PAK-7
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 小卷盘
技术参数
22 项参数- 晶体管极性
- N-Channel
- 通道数
- 1 个通道
- 漏源击穿电压（Vds）
- 900 V
- 连续漏极电流（Id）
- 112 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 28 mOhms
- 栅源电压（Vgs）
- - 8 V, + 22 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 4.3 V
- 栅极电荷（Qg）
- 200 nC
- 工作温度范围
- -55～175 °C
- 耗散功率（Pd）
- 477 W
- 通道模式
- Enhancement
- 认证等级
- AEC-Q101
展开更多参数（10 项）
- 商品名称
- EliteSiC
- 配置
- Single
- 原产国家或地区
- 中国
- 下降时间
- 13 ns
- 正向跨导（最小值）
- 49 S
- 上升时间
- 52 ns
- 技术
- 碳化硅（SiC）
- 典型关断延迟时间
- 58 ns
- 典型导通延迟时间
- 39 ns
- 单件重量
- 0.164906 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。