ChipSourceHub 美芯科技

Infineon Technologies

CY7C25702KV18-550BZXI

主要参数包括最大时钟频率 550 MHz、存储容量 72 Mbit、电源电压(最大值) 1.9 V、电源电压(最小值) 1.7 V、接口类型 Parallel、存储器类型 DDR,采用 FBGA-165 封装。

基本资料

查看数据手册 ↗
制造商
Infineon
品牌
Infineon Technologies
产品类别
SRAM
产品系列
CY7C25702KV18
封装
FBGA-165
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
托盘

技术参数

12 项参数
存储容量
72 Mbit
存储组织结构
2 M x 36
访问时间
450 ps
最大时钟频率
550 MHz
接口类型
Parallel
电源电压范围
1.7~1.9 V
电源电流(最大值)
970 mA
工作温度范围
-40~85 °C
原产国家或地区
菲律宾
存储器类型
DDR
湿敏性
是
类型
Synchronous

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

CY7C25702KV18-550BZXI 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技