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Infineon Technologies

BC 847CW H6433

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 45 V、集电极-基极电压(VCBO) 50 V、发射极-基极电压(VEBO) 6 V、集电极-发射极饱和电压 200 mV,采用 SOT-323-3 封装。

基本资料

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制造商
Infineon
品牌
Infineon Technologies
产品类别
晶体管
产品系列
BC 847CW
封装
SOT-323-3
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
剪切带
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

15 项参数
晶体管极性
NPN
配置
Single
最大集电极-发射极电压(VCEO)
45 V
集电极-基极电压(VCBO)
50 V
发射极-基极电压(VEBO)
6 V
集电极-发射极饱和电压
200 mV
最大直流集电极电流
200 mA
增益带宽积(fT)
250 MHz
工作温度范围
-60~150 °C
最大直流电流增益(hFE)
800
连续集电极电流
100 mA
最小直流电流增益(hfe)
420
展开更多参数(3 项)
耗散功率(Pd)
330 mW
型号别名
BC847CWH6433XT BC847CWH6433XTMA1 SP000747284
单件重量
0.000176 oz

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

BC 847CW H6433 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技