ON Semiconductor
MBT3906DW1T2G
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 40 V、集电极－基极电压（VCBO） - 40 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 SOT-363-6 封装。
基本资料
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- ON Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- MBT3906DW1
- 封装
- SOT-363-6
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
14 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- PNP
- 配置
- Dual
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- - 40 V
- 集电极－基极电压（VCBO）
- - 40 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- - 5 V
- 集电极－发射极饱和电压
- - 0.4 V
- 增益带宽积（fT）
- 250 MHz
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 最大直流电流增益（hFE）
- 300
- 连续集电极电流
- - 200 mA
- 耗散功率（Pd）
- 150 mW
展开更多参数（2 项）
- 型号别名
- MBT3906DW1T1G
- 单件重量
- 0.000265 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。