ChipSourceHub 美芯科技

Central Semiconductor

1N4707 TR TIN/LEAD

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 20 V、耗散功率(Pd) 500 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流(Ir) 10 nA、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 200 C,采用 DO-35-2 封装。

基本资料

查看数据手册 ↗
品牌 / 制造商
Central Semiconductor
产品类别
二极管
产品系列
1N4707
封装
DO-35-2
安装方式
通孔安装
包装方式
卷盘

技术参数

12 项参数
稳压电压(Vz)
20 V
耗散功率(Pd)
500 mW
电压容差
5 %
最大反向漏电流(Ir)
10 nA
工作温度范围
-65~200 °C
配置
Single
测试电流
50 uA
正向电流(If)
100 mA
反向电流(Ir)
10 nA
正向电压(Vf)
1.5 V
稳压管电流
11.9 mA
单件重量
0.005291 oz

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

1N4707 TR TIN/LEAD 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技