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Winbond

W29N01GWDIBA TR

主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 64 M x 16、数据总线宽度 16 位,采用 VFBGA-48 封装。

基本资料

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品牌 / 制造商
Winbond
产品类别
NAND Flash
产品系列
W29N01GW
封装
VFBGA-48
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
卷盘
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

8 项参数
存储容量
1 Gbit
接口类型
Parallel
存储组织结构
64 M x 16
数据总线宽度
16 位
电源电压范围
1.7~1.95 V
电源电流(最大值)
25 mA
工作温度范围
-40~85 °C
湿敏性
是

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

W29N01GWDIBA TR 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技