ChipSourceHub 美芯科技

Toshiba

HN2D01FU,LF

该型号为二极管,主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 85 V、最大浪涌电流 1 A、正向电流(If) 80 mA、配置 Triple、恢复时间 1.6 ns,采用 SOT-363-6 封装。

基本资料

查看数据手册 ↗
品牌 / 制造商
Toshiba
产品类别
二极管
产品系列
HN2D01
封装
SOT-363-6
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
小卷盘

技术参数

14 项参数
产品
Switching Diodes
峰值反向电压
85 V
最大浪涌电流
1 A
正向电流(If)
80 mA
配置
Triple
恢复时间
1.6 ns
正向电压(Vf)
980 mV
反向电流(Ir)
500 nA
工作温度范围
-55~125 °C
认证等级
AEC-Q101
原产国家或地区
TH
最大二极管电容
3 pF
展开更多参数(2 项)
耗散功率(Pd)
200 mW
单件重量
0.000265 oz

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

HN2D01FU,LF 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技