GeneSiC Semiconductor
GC15MPS12-220
该型号为二极管，主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、产品 Schottky Silicon Carbide Diodes、正向电流（If） 82 A、重复反向电压（Vrrm） 1200 V、正向电压（Vf） 1.5 V、正向浪涌电流（Ifsm） 100 A，采用 TO-220-2 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- GeneSiC Semiconductor
- 产品类别
- 二极管
- 封装
- TO-220-2
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 管装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
11 项参数- 产品
- Schottky Silicon Carbide Diodes
- 正向电流（If）
- 82 A
- 重复反向电压（Vrrm）
- 1200 V
- 正向电压（Vf）
- 1.5 V
- 正向浪涌电流（Ifsm）
- 100 A
- 配置
- Single
- 技术
- 碳化硅（SiC）
- 反向电流（Ir）
- 1.4 uA
- 工作温度范围
- -55～175 °C
- 耗散功率（Pd）
- 598 W
- 反向电压（Vr）
- 1200 V
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。