ROHM Semiconductor
SCT4020DLLTRDC
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N Channel、漏源击穿电压（Vds） 750 V、连续漏极电流（Id） 80 A、栅源阈值电压（Vgs th） 4.8 V，采用 TOLL-9 封装。
基本资料
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- ROHM Semiconductor
- 产品类别
- SiC MOSFETs
- 封装
- TOLL-9
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
技术参数
18 项参数- 晶体管极性
- N Channel
- 通道数
- 1 个通道
- 漏源击穿电压（Vds）
- 750 V
- 连续漏极电流（Id）
- 80 A
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 4.8 V
- 栅极电荷（Qg）
- 123 nC
- 最大工作温度
- + 175 V
- 耗散功率（Pd）
- 277 W
- 通道模式
- Enhancement
- 配置
- Single
- 原产国家或地区
- 中国
- 下降时间
- 14 ns
展开更多参数（6 项）
- 正向跨导（最小值）
- 19 S
- 产品
- SiC MOSFET
- 上升时间
- 26 ns
- 技术
- 碳化硅（SiC）
- 典型关断延迟时间
- 14 ns
- 典型导通延迟时间
- 53 ns
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。