SemiQ
GHXS100B170S-D3
该型号为二极管，主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、类型 SiC Schottky Diode、反向电压（Vr） 1.7 kV、正向电流（If） 100 A、正向电压（Vf） 2.3 V、最小工作温度 - 55 C，采用 SOT-227-4 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- SemiQ
- 产品类别
- 二极管
- 封装
- SOT-227-4
- 安装方式
- Screw Mount
- 包装方式
- 管装
技术参数
11 项参数- 反向电压（Vr）
- 1.7 kV
- 正向电流（If）
- 100 A
- 类型
- SiC Schottky Diode
- 正向电压（Vf）
- 2.3 V
- 工作温度范围
- -55～175 °C
- 原产国家或地区
- 菲律宾
- 高度
- 12.19 mm
- 长度
- 38.1 mm
- 耗散功率（Pd）
- 882 W
- 技术
- 碳化硅（SiC）
- 宽度
- 25.3 mm
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。