InterFET
IF150BST3TR
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、配置 Single、栅源击穿电压（Vgs） 10 V、栅源截止电压 3.2 V、栅源电压为零时的漏源电流 10 mA，采用 SOT-23-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- InterFET
- 产品类别
- JFETs
- 产品系列
- IF150
- 封装
- SOT-23-3
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 卷盘
技术参数
10 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- N-Channel
- 配置
- Single
- 栅源击穿电压（Vgs）
- 10 V
- 栅源截止电压
- 3.2 V
- 栅源电压为零时的漏源电流
- 10 mA
- 耗散功率（Pd）
- 350 mW
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 原产国家或地区
- 美国
- 正向跨导（最小值）
- 3 mS
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。