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GigaDevice

GD5F2GQ5UFYIGR

主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 256 M x 8,采用 WSON-8 封装。

基本资料

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品牌 / 制造商
GigaDevice
产品类别
NAND Flash
产品系列
GD5F2GQ5UF
封装
WSON-8
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
卷盘

技术参数

9 项参数
存储容量
2 Gbit
接口类型
SPI
存储组织结构
256 M x 8
电源电压范围
2.7~3.6 V
电源电流(最大值)
40 mA
工作温度范围
-40~85 °C
读取工作电流(最大值)
40 mA
最大时钟频率
120 MHz
速度
400 us

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

GD5F2GQ5UFYIGR 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技