ROHM Semiconductor
PBZTBR13.9B
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 3.9 V、耗散功率（Pd） 1 W、最大反向漏电流（Ir） 40 uA、最大工作温度 + 150 C、配置 Single、测试电流 40 mA，采用 DO-214AA-2 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- ROHM Semiconductor
- 产品类别
- 二极管
- 封装
- DO-214AA-2
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
技术参数
12 项参数- 稳压电压（Vz）
- 3.9 V
- 耗散功率（Pd）
- 1 W
- 最大反向漏电流（Ir）
- 40 uA
- 最大工作温度
- + 150 C
- 配置
- Single
- 测试电流
- 40 mA
- 原产国家或地区
- 日本
- 高度
- 3.94 mm
- 反向电流（Ir）
- 40 uA
- 长度
- 4.7 mm
- 宽度
- 2.45 mm
- 稳压管电流
- 40 uA
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。