ZXTN2005ZQTA
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 SOT-89-3 封装。
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