ZXTN19060CGTA
Diodes Incorporated
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 60 V、集电极-基极电压(VCBO) 160 V、发射极-基极电压(VEBO) 7 V、集电极-发射极饱和电压 50 mV,采用 SOT-223-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT1 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| DPLS540E-13 | Diodes Incorporated |
| 2021-03-15 | 查看资料 |
技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Diodes Incorporated
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 60 V、集电极-基极电压(VCBO) 160 V、发射极-基极电压(VEBO) 7 V、集电极-发射极饱和电压 50 mV,采用 SOT-223-4 封装。
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