ZVN0545A
Diodes Incorporated
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、类型 FET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 450 V,采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET技术资料参考
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Diodes Incorporated
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、类型 FET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 450 V,采用 TO-92-3 封装。
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主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、类型 FET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 450 V,采用 TO-92-3 封装。
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