ZTX1049A
Diodes Incorporated
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 25 V、集电极-基极电压(VCBO) 80 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V、最大直流集电极电流 4 A,采用 E-Line-3 封装。
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Diodes Incorporated
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 25 V、集电极-基极电压(VCBO) 80 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V、最大直流集电极电流 4 A,采用 E-Line-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTDiodes Incorporated
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 25 V、集电极-基极电压(VCBO) 80 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V、集电极-发射极饱和电压 220 mV,采用 TO-92-3 封装。
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