ZL1505ALNFT1
Renesas / Intersil
主要参数包括技术 Si、上升时间 10.5 ns、下降时间 9.5 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、高度 1 mm,采用 DFN-EP-10 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate Drivers技术资料参考
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Renesas / Intersil
主要参数包括技术 Si、上升时间 10.5 ns、下降时间 9.5 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、高度 1 mm,采用 DFN-EP-10 封装。
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