WNSC5D04650D6J
WeEn Semiconductors
该型号为二极管,主要参数包括配置 Single、正向电流(If) 4 A、重复反向电压(Vrrm) 650 V、正向电压(Vf) 1.45 V、正向浪涌电流(Ifsm) 26 A、反向电流(Ir) 20 uA,采用 DPAK-2 (TO-252-2) 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > SiC Schottky Diodes技术资料参考
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该型号为二极管,主要参数包括配置 Single、正向电流(If) 4 A、重复反向电压(Vrrm) 650 V、正向电压(Vf) 1.45 V、正向浪涌电流(Ifsm) 26 A、反向电流(Ir) 20 uA,采用 DPAK-2 (TO-252-2) 封装。
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