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Winbond Electronics
- IS43LD16640C-25BLIISSI, Integrated Silicon Solution Inc相似型号
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Winbond Electronics
技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Winbond
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压(最大值) 1.95 V、电源电压(最小值) 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 16 位,采用 VFBGA-134 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAMWinbond
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压(最大值) 1.95 V、电源电压(最小值) 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 16 位,采用 VFBGA-134 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAM