W9751G6KB25I
Winbond
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压(最大值) 1.9 V、电源电压(最小值) 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 32 M x 16,采用 WBGA-84 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAM技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Winbond
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压(最大值) 1.9 V、电源电压(最小值) 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 32 M x 16,采用 WBGA-84 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAMWinbond
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压(最大值) 1.9 V、电源电压(最小值) 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 32 M x 16,采用 WBGA-84 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAMWinbond
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压(最大值) 1.9 V、电源电压(最小值) 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 32 M x 16,采用 WBGA-84 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAMWinbond
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压(最大值) 1.9 V、电源电压(最小值) 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 32 M x 16,采用 WBGA-84 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAM