原型号
查看详情 · 6 条候选W971GG8SB-25 TR
Winbond Electronics
- W971GG8NB-25 TRWinbond Electronics直接替代候选
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来源：第三方数据源非原厂公告
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芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
W971GG8SB25I
Winbond
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 128 M x 8，采用 WBGA-60 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAMW971GG8SB25I TR
Winbond
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 128 M x 8，采用 WBGA-60 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAM