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来源:第三方数据源非原厂公告

1 个原型号
原型号

W632GU6QB15I TR

Winbond Electronics

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  • W632GU6NB15I TRWinbond Electronics参数相近

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芯片技术资料

2 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

W632GU6NB15I

Winbond

主要参数包括存储容量 2 GBit、电源电压(最大值) 1.35 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16、访问时间 20 ns,采用 VFBGA-96 封装。

半导体 > Memory ICs > DRAM
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W632GU6NB15I TR

Winbond

主要参数包括存储容量 2 GBit、电源电压(最大值) 1.35 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16、访问时间 20 ns,采用 VFBGA-96 封装。

半导体 > Memory ICs > DRAM
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