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查看详情 · 1 条候选W632GU6QB15I TR
Winbond Electronics
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- W632GU6NB15I TRWinbond Electronics参数相近
来源:第三方数据源非原厂公告
Winbond Electronics
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技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Winbond
主要参数包括存储容量 2 GBit、电源电压(最大值) 1.35 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16、访问时间 20 ns,采用 VFBGA-96 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAMWinbond
主要参数包括存储容量 2 GBit、电源电压(最大值) 1.35 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16、访问时间 20 ns,采用 VFBGA-96 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAM