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Winbond Electronics
- W632GU6RB-12 TRWinbond Electronics第三方标注：厂商推荐
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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
W632GU6NB12I
Winbond
主要参数包括存储容量 2 GBit、电源电压（最大值） 1.35 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16、访问时间 20 ns，采用 VFBGA-96 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAMW632GU6NB12I TR
Winbond
主要参数包括存储容量 2 GBit、电源电压（最大值） 1.35 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16、访问时间 20 ns，采用 VFBGA-96 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAM