ChipSourceHub 美芯科技

搜索结果

技术资料参考

芯片技术资料

2 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

W632GU6NB09I

Winbond

主要参数包括存储容量 2 GBit、电源电压(最大值) 1.35 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16、访问时间 20 ns,采用 VFBGA-96 封装。

半导体 > Memory ICs > DRAM
查看技术资料

W632GU6NB09I TR

Winbond

主要参数包括存储容量 2 GBit、电源电压(最大值) 1.35 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16、访问时间 20 ns,采用 VFBGA-96 封装。

半导体 > Memory ICs > DRAM
查看技术资料