W632GG8NB09I
Winbond
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压(最大值) 1.5 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 256 M x 8、访问时间 20 ns,采用 VFBGA-78 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAM技术资料参考
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主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压(最大值) 1.5 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 256 M x 8、访问时间 20 ns,采用 VFBGA-78 封装。
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主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压(最大值) 1.5 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 256 M x 8、访问时间 20 ns,采用 VFBGA-78 封装。
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