W29N08GWBIBA
Winbond
主要参数包括最大时钟频率 40 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 512 M x 16,采用 VFBGA-63 封装。
半导体 > Memory ICs > NAND Flash技术资料参考
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Winbond
主要参数包括最大时钟频率 40 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 512 M x 16,采用 VFBGA-63 封装。
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主要参数包括最大时钟频率 40 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 512 M x 16,采用 VFBGA-63 封装。
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