W29N01HVBINA
Winbond
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位,采用 VFBGA-63 封装。
半导体 > Memory ICs > NAND Flash技术资料参考
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主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位,采用 VFBGA-63 封装。
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主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位,采用 VFBGA-63 封装。
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