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Winbond Electronics
- AT25DF011-SSHN-BRenesas Electronics Corporation相似型号
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来源：第三方数据源非原厂公告
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芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
W25X10CLSNIG
Winbond
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 k x 8，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR FlashW25X10CLSNIG TR
Winbond
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 k x 8，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR Flash