原型号
查看详情 · 5 条候选W25N512GVEIT TR
Winbond Electronics
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- W25N512GVPIT TRWinbond Electronics参数相近
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第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
W25N512GVPIT
Winbond
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 WSON-8 封装。
半导体 > Memory ICs > NAND FlashW25N512GVPIT TR
Winbond
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 WSON-8 封装。
半导体 > Memory ICs > NAND Flash