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第三方参考

来源:第三方数据源非原厂公告

2 个原型号
原型号

W25N01GVTCIG

Winbond Electronics

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  • W25N01GVTBIGWinbond Electronics参数相近
原型号

W25N01GVTBIT

Winbond Electronics

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命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • W25N01GVTCIGWinbond Electronics参数相近

技术资料参考

芯片技术资料

2 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

W25N01GVTCIG

Winbond

主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 M x 8,采用 TFBGA-24 封装。

半导体 > Memory ICs > NAND Flash
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W25N01GVTCIG TR

Winbond

主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 M x 8,采用 TFBGA-24 封装。

半导体 > Memory ICs > NAND Flash
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