原型号
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Winbond Electronics
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- W25N01GVTBIGWinbond Electronics参数相近
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原型号
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Winbond Electronics
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技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
W25N01GVTBIG
Winbond
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 M x 8，采用 TFBGA-24 封装。
半导体 > Memory ICs > NAND FlashW25N01GVTBIG TR
Winbond
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 M x 8，采用 TFBGA-24 封装。
半导体 > Memory ICs > NAND Flash