W25N01GVSFIT
Winbond
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 M x 8,采用 SOIC-16 封装。
半导体 > Memory ICs > NAND Flash技术资料参考
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Winbond
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 M x 8,采用 SOIC-16 封装。
半导体 > Memory ICs > NAND FlashWinbond
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 M x 8,采用 SOIC-16 封装。
半导体 > Memory ICs > NAND FlashWinbond
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是、商品名称 SpiFlash、型号别名 W25N01GVSFIT,采用 SOIC-16 封装。
半导体 > Memory ICs > NAND Flash