原型号
查看详情 · 1 条候选W25M02GVZEIT TR
Winbond Electronics
- W25N02KVZEIU TRWinbond Electronics直接替代候选
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来源：第三方数据源非原厂公告
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
W25M02GVZEIT
Winbond
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、接口类型 SPI、类型 NAND Flash, NOR Flash，采用 WSON-8 封装。
半导体 > Memory ICs > Multichip PackagesW25M02GVZEIT TR
Winbond
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、接口类型 SPI、类型 NAND Flash, NOR Flash，采用 WSON-8 封装。
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