US3D
Diotec Semiconductor
主要参数包括类型 Ultra Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 100 A，采用 DO-214AB-2 封装。
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芯片技术资料
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US3DB-HF
Comchip Technology
主要参数包括类型 Ultra Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 90 A，采用 DO-214AA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersUS3DBFL-TP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括产品 Rectifiers。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersUS3DC-HF
Comchip Technology
主要参数包括类型 Ultra Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 90 A，采用 SMC/DO-214AB 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersMIMX8US3DVK08SC
NXP Semiconductors
主要参数包括工作频率 800 MHz、技术 Si、类型 SOC、内核 ARM Cortex A35、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF System on a Chip - SoCMIMX8US3DVP08SC
NXP Semiconductors
主要参数包括工作频率 800 MHz、技术 Si、类型 SOC、内核 ARM Cortex A35、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF System on a Chip - SoC