UCC5310MCDWV
Texas Instruments
主要参数包括电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 15 V、输出电压 13.2~33 V、输出电流 4.3 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si,采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate Drivers技术资料参考
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主要参数包括电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 15 V、输出电压 13.2~33 V、输出电流 4.3 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si,采用 SOIC-8 封装。
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主要参数包括电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 15 V、输出电压 13.2~33 V、输出电流 4.3 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si,采用 SOIC-8 封装。
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