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Renesas Electronics Corporation
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- UCC27524DSDRTexas Instruments相似型号
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技术资料参考
芯片技术资料
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UCC27524D
Texas Instruments
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate DriversUCC27524DGN
Texas Instruments
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate DriversUCC27524DGNR
Texas Instruments
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电压 0.075 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate DriversUCC27524DR
Texas Instruments
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate DriversUCC27524DSDR
Texas Instruments
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 WSON-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate DriversUCC27524DSDT
Texas Instruments
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 WSON-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate Drivers