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原型号	制造商	资料列出的替代型号	资料
UCC27425D	Texas Instruments	UCC27425DR	查看资料
TPS2814D	Texas Instruments	UCC27425DR	查看资料
TPS2814P	Texas Instruments	UCC27425DR	查看资料
TPS2814PW	Texas Instruments	UCC27425DR	查看资料
UC3714D	Texas Instruments	UCC27425DR	查看资料
UCC27425DG4	Texas Instruments	UCC27425DR	查看资料
UCC27425DGN	Texas Instruments	UCC27425DGNR	查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

2 个原型号

原型号

UCC27425D

Texas Instruments

查看详情 · 2 条候选

MIC4225YMMicrochip Technology相似型号

原型号

LM5111-4MX/NOPB

Texas Instruments

查看详情 · 6 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

UCC27425DRTexas Instruments第三方标注：厂商推荐

技术资料参考

芯片技术资料

6 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

UCC27425D

Texas Instruments

主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 105 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate Drivers

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UCC27425DG4

Texas Instruments

主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 105 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate Drivers

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UCC27425DGN

Texas Instruments

主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 105 C、技术 Si，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate Drivers

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UCC27425DGNR

Texas Instruments

主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 105 C、技术 Si，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate Drivers

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UCC27425DR

Texas Instruments

主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 105 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate Drivers

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UCC27425DRG4

Texas Instruments

主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 105 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate Drivers

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