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原厂资料

7 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号资料
UCC27321DTexas Instruments
  • UCC27321DR
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UCC27321DGNTexas Instruments
  • UCC27321DGNR
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UCC27321PTexas Instruments
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UCC27321PE4Texas Instruments
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UCC37321DTexas Instruments
  • UCC27321DR
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UCC37321DGNTexas Instruments
  • UCC27321DGNR
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UCC37321PTexas Instruments
  • UCC27321DR
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技术资料参考

芯片技术资料

4 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

UCC27321D

Texas Instruments

主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 9 A、工作温度范围 - 40 C to + 105 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate Drivers
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UCC27321DGN

Texas Instruments

主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 9 A、工作温度范围 - 40 C to + 105 C、技术 Si，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate Drivers
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UCC27321DGNR

Texas Instruments

主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 9 A、工作温度范围 - 40 C to + 105 C、技术 Si，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate Drivers
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UCC27321DR

Texas Instruments

主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 9 A、工作温度范围 - 40 C to + 105 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate Drivers
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