UCC21530DWKR
Texas Instruments
主要参数包括电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电压 25 V、输出电流 6 A、技术 碳化硅(SiC)、类型 High Side, Low Side,采用 SOIC-14 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate Drivers技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Texas Instruments
主要参数包括电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电压 25 V、输出电流 6 A、技术 碳化硅(SiC)、类型 High Side, Low Side,采用 SOIC-14 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate Drivers