TT8M
Diodes Incorporated
主要参数包括端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 960 mV、最大浪涌电流 330 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TTL-4 封装。
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芯片技术资料
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TT8M1TR
ROHM Semiconductor
主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel、晶体管极性 N-Channel, P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 20 V、连续漏极电流（Id） 2.5 A，采用 TSST-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETTT8M2TR
ROHM Semiconductor
主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel、晶体管极性 N-Channel, P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V, 20 V、连续漏极电流（Id） 2.5 A，采用 TSST-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETTT8M3TR
ROHM Semiconductor
主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、类型 Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel, P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 20 V、连续漏极电流（Id） 2.5 A, 2.4 A，采用 TSST-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETTT8M_HF
Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国。
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