TRC103
RFMi
主要参数包括电源电压(最小值) 2.1 V、电源电压(最大值) 3.6 V、工作电源电压 2.1~3.6 V、接口类型 SPI、最大数据速率 200 kb/s、频率范围 863~960 MHz,采用 QFN-32 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Transceiver技术资料参考
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RFMi
主要参数包括电源电压(最小值) 2.1 V、电源电压(最大值) 3.6 V、工作电源电压 2.1~3.6 V、接口类型 SPI、最大数据速率 200 kb/s、频率范围 863~960 MHz,采用 QFN-32 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF TransceiverDiotec Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V、连续集电极电流 100 mA、耗散功率(Pd) 200 mW,采用 SOT-23 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Digital TransistorsDiotec Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA,采用 SOT-23 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Digital Transistors